Fiche technique RVS35N60PN : transistor de puissance DP MOS 35 A, 600 V
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
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Le RVS35N60PN est un MOSFET de puissance haute tension à mode d'enrichissement à deux canaux, fabriqué à partir de la technologie DP MOS de Rongtech. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à forte densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.
Fiche technique RVS35N60PN : TRANSISTOR DE PUISSANCE MOS DP 35 A, 600 V. CARACTÉRISTIQUES
1. 35A, 600V,
2. Nouvelle technologie révolutionnaire à haute tension
3. Charge de grille ultra faible
4. Classement des avalanches périodiques
5. Valeur nominale dv/dt extrême
6. Capacité de courant de crête élevée
Fiche technique du transistor de puissance MOS DP RVS35N60PN 35 A, 600 V
