Mosfet

Le RVS47N60P/PT est un MOSFET de puissance haute tension à mode d'enrichissement multicanal, fabriqué à partir de la nouvelle plateforme technologique Rongtech Mos. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à forte densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.

Le RVF3878PN est un transistor MOS à effet de champ de puissance à canal N, utilisant la technologie VDMOS à structure F-Cell™M, propriété de Rongtec. La cellule à bande plane et la borne de garde améliorées ont été spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et supporter les impulsions à haute énergie en avalanche et en commutation. Ces composants sont largement utilisés dans les alimentations CA-CC, les convertisseurs CC-CC et les variateurs de moteurs PM à pont en H.

Le RVF4N90F/MJ est un transistor MOS à effet de champ de puissance à canal N, utilisant la technologie VDMOS à structure F-Cell, propriété de Rongtec. La cellule à bande plane et la borne de protection améliorées ont été spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et supporter les impulsions à haute énergie en avalanche et en commutation. Ces composants sont largement utilisés dans les alimentations CA-CC, les convertisseurs CC-CC et les variateurs de moteurs PM à pont en H.

Le RVT10180NT/D est un transistor MOS à effet de champ de puissance à canal N, fabriqué à partir de la technologie RongteLVMOS. Le procédé et la structure cellulaire améliorés ont été spécialement conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et offrir des performances de commutation supérieures. Ce composant est largement utilisé dans les domaines des alimentations sans interruption et de la gestion de l'énergie des systèmes onduleurs.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM110N06PK : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM110N06PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. utilise une technologie avancée de 6 pouces pour obtenir une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET consomme peu d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM75N08PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM70N06PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM60N10PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (Shang Hai) Inc. bénéficie d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.