RVF4N90F/MJ_ Fiche technique MOSFET à canal N 4 A, 900 V
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Le RVF4N90F/MJ est un transistor MOS à effet de champ de puissance à canal N, utilisant la technologie VDMOS à structure F-Cell, propriété de Rongtec. La cellule à bande plane et la borne de protection améliorées ont été spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et supporter les impulsions à haute énergie en avalanche et en commutation. Ces composants sont largement utilisés dans les alimentations CA-CC, les convertisseurs CC-CC et les variateurs de moteurs PM à pont en H.
RVF4N90F/MJ_ Fiche technique MOSFET à canal N 4 A, 900 V CARACTÉRISTIQUES
1,4 A, 900 V
2. Faibles frais d'entrée
3. Faible Crss
4. Commutation rapide
5. Capacité dv/dt améliorée
Fiche technique du MOSFET à canal N RVF4N90F/MJ 4 A, 900 V
