Fiche technique du transistor MOSFET à canal N RVT10180NT/D 45 A, 100 V
Fiche technique du transistor MOSFET à canal N RVT10180NT/D 45 A, 100 V
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Le RVT10180NT/D est un transistor MOS à effet de champ de puissance à canal N, fabriqué à partir de la technologie RongteLVMOS. Le procédé et la structure cellulaire améliorés ont été spécialement conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et offrir des performances de commutation supérieures. Ce composant est largement utilisé dans les domaines des alimentations sans interruption et de la gestion de l'énergie des systèmes onduleurs.
Fiche technique du MOSFET à canal N 45 A, 100 V RVT10180NT/D : Caractéristiques
1. 45 A, 100 V Charge de grille faible
2. Faibles frais d'entrée
3. Faible Crss
4. Commutation rapide
5. Capacité dv/dt améliorée
Fiche technique du MOSFET à canal N RVT10180NT/D 45 A, 100 V
