Fiche technique du MOSFET RVF3878PN à canal N 9 A, 900 V
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Le RVF3878PN est un transistor MOS à effet de champ de puissance à canal N, utilisant la technologie VDMOS à structure F-Cell™M, propriété de Rongtec. La cellule à bande plane et la borne de garde améliorées ont été spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et supporter les impulsions à haute énergie en avalanche et en commutation. Ces composants sont largement utilisés dans les alimentations CA-CC, les convertisseurs CC-CC et les variateurs de moteurs PM à pont en H.
Fiche technique du MOSFET à canal N RVF3878PN 9 A, 900 V. CARACTÉRISTIQUES
1,9 A, 900 V
2. Faibles frais d'entrée
3. Faible Crss
4. Commutation rapide
5. Capacité dv/dt améliorée
Fiche technique du MOSFET à canal N RVF3878PN 9 A, 900 V
