Fiche technique RVS24N60F/PT Transistor de puissance DP MOS 24 A, 600 V
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Le RVS24N60F/PT est un MOSFET de puissance haute tension à canal N, à mode d'enrichissement, fabriqué à partir de la nouvelle plateforme technologique Rongtech Mos. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à forte densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.
Fiche technique RVS24N60F/PT : TRANSISTOR DE PUISSANCE MOS DP 24 A, 600 V. CARACTÉRISTIQUES
24A, 600V
Nouvelle technologie révolutionnaire à haute tension
Charge de grille ultra faible
Classement des avalanches périodiques
Cote dv/dt extrême
Capacité de courant de crête élevée
Fiche technique du transistor de puissance MOS DP RVS24N60F/PT 24 A, 600 V
