Fiche technique RVS20N65F/S/PN : transistor de puissance DP MOS 20 A, 650 V
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
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Le RVS20N65F/S/PN est un MOSFET de puissance haute tension à canal N, fabriqué à partir de la technologie DP MOS de Rongtech. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à haute densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.
Fiche technique du transistor de puissance MOS DP RVS20N65F/S/PN 20 A, 650 V. Caractéristiques
1. 20A, 650V
2. Nouvelle technologie révolutionnaire à haute tension
3. Charge de grille ultra faible
4. Classement des avalanches périodiques
5. Valeur nominale dv/dt extrême
6. Capacité de courant de crête élevée
Fiche technique du transistor de puissance MOS DP RVS20N65F/S/PN 20 A, 650 V
