MOSFET de puissance à canal N en silicium RM20N10PA
MOSFET de puissance à canal N en silicium RM20N10PA
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. bénéficie d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.
Application du MOSFET de puissance à canal N en silicium RM20N10PA
Application de commutation de puissance
Contrôle de moteur à courant continu
UPS
Données du MOSFET de puissance à canal N en silicium RM20N10PA
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