Mosfet

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM50N06PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM45N06PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM30N20PK : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM40N10PA : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. est doté d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Description du MOSFET de puissance canal N silicium RM40N10PK : Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. utilise une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, il consomme peu d'énergie pendant l'application, ce qui améliore sa fiabilité et sa durabilité.

Ce MOSFET de Rongtech Industry (ShangHai) Inc. bénéficie d'une technologie avancée de 6 pouces pour une résistance statique drain-source (RDS(on)) extrêmement faible. De ce fait, ce MOSFET présente une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également sa fiabilité et sa durabilité.

Le RVS35N60PN est un MOSFET de puissance haute tension à mode d'enrichissement à deux canaux, fabriqué à partir de la technologie DP MOS de Rongtech. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à forte densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.

Le RVS24N60F/PT est un MOSFET de puissance haute tension à canal N, à mode d'enrichissement, fabriqué à partir de la nouvelle plateforme technologique Rongtech Mos. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à forte densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.

Le RVS20N65F/S/PN est un MOSFET de puissance haute tension à canal N, fabriqué à partir de la technologie DP MOS de Rongtech. Il offre de faibles pertes de conduction et de commutation. Il permet aux ingénieurs concepteurs de concevoir des convertisseurs de puissance à haut rendement, à haute densité de puissance et à comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire adapté aux topologies de commutation dures et douces.