Actualités technologiques
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17-05-2025
Capteur à effet Hall en boucle fermée
L'essor des semi-conducteurs à large bande interdite (SiC/GaN) et des infrastructures de charge ultrarapide exigera des capteurs à bande passante plus élevée (> 500 kHz) et à résistance thermique accrue. L'intégration d'interfaces numériques (I²C, SPI) et de systèmes de diagnostic embarqués (auto-étalonnage, signalement des défauts, etc.) permettra d'optimiser la conception des systèmes. Les innovations dans les noyaux magnétiques nanocristallins et les éléments à effet Hall MEMS pourraient permettre d'atteindre une précision inférieure à ± 0,05 %.
