Module MOSFET SiC RSC510FF120C8S-S07

Module MOSFET SiC RSC510FF120C8S-S07
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Caractéristiques du module MOSFET SiC RSC510FF120C8S-S07 : base qualifiée pour l'automobile sur AEC Q101, faible RDS (on), fonctionnement haute fréquence, tension de blocage élevée, résistant au verrouillage, résistance de grille élevée pour les entraînements, faible inductance parasite, isolation > 4 kV DC 1 sec, plaque de base en cuivre Pinfin à refroidissement direct, isolant Si3N4 DBC, bornes de signal à ajustement serré, cadre de module UL 94 V0, sans plomb, conforme aux exigences RoHS.
Applications du module MOSFET SiC RSC510FF120C8S-S07 :
1.Application automobile
2. Véhicules électriques
3. Entraînements par moteur
Données du module MOSFET SiC RSC510FF120C8S-S07
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