Module MOSFET SiC RSC200FF120C8NS-S17
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Caractéristiques du module MOSFET SiC RSC200FF120C8NS-S17 : base qualifiée pour l'automobile sur AEC Q101, perte ultra faible, fonctionnement haute fréquence, courant de queue de coupure nul du MOSFET, fonctionnement de l'appareil normalement désactivé et à sécurité intégrée, mise en parallèle facile, faible inductance parasite, isolation > 4 kV DC 1 s, plaque de base à ailettes refroidie directement, substrats DBC renforcés pour une fiabilité supérieure, capteur de température NTC intégré, bornes de signal à ajustement serré, cadre de module UL 94 V0, sans plomb, conforme aux exigences RoHS.
Applications du module MOSFET SiC RSC200FF120C8NS-S17 :
1. Onduleur solaire
2. Convertisseurs CC/CC haute tension
3. Entraînements par moteur
4. Chargeurs de véhicules électriques
5.UPS
Données du module MOSFET SiC RSC200FF120C8NS-S17
