IGBT

Caractéristiques du module MOSFET SiC RSC300HF170T2NH : Perte ultra faible, fonctionnement haute fréquence, courant de récupération inverse nul de la diode, courant de queue de coupure nul du MOSFET, fonctionnement de l'appareil normalement éteint et à sécurité intégrée, mise en parallèle facile, plaque de base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium.

Caractéristiques du module IGBT RT100P20T6H-M :
1. IGBT à grille de tranchée à arrêt de champ
2. Court-circuit nominal > 10 µs
Tout d'abord, les fenêtres coulissantes en alliage d'aluminium offrent une excellente durabilité. L'aluminium est très résistant à la corrosion, à la rouille et aux intempéries, ce qui garantit une longue durée de vie, même dans des conditions environnementales difficiles. Elles résistent aux vents violents, aux fortes pluies et aux rayons du soleil intenses sans subir de dommages importants, réduisant ainsi la nécessité de remplacements fréquents.
4. Faible perte de commutation
5. 100 % testé RBSOA (2xlc)
6. Faible inductance parasite
7. Sans plomb, conforme aux exigences RoHS

Le RTK200HF120BA2 1200V/200A 2 en 1 caractéristiques :
1,1200 V 200 A, VCE (sat) (typ.) = 2,1 V
2. Pertes moindres et énergie plus élevée
3. Excellente robustesse aux courts-circuits
Module demi-pont de 4,62 mm

Les IGBT Rongtech 650V Trench Field Stop offrent de faibles pertes de commutation, une efficacité énergétique élevée et une grande robustesse aux avalanches pour le mouvement
contrôle, application solaire et machine à souder.

Caractéristiques du transistor IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120T1B 1200 V/40 A :
1. Tension de claquage élevée jusqu'à 1200 V pour une fiabilité améliorée
2. Offre de technologie Trench-Stop :
 a.distribution très serrée des paramètres
 b. grande robustesse, comportement stable en température
 c.Temps de tenue aux courts-circuits - 10 µs
 d.Haute robustesse, stabilité thermique
 e. Faible VCE(SAT) > Capacité de commutation parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans VCE(SAT)
3. Capacité d'avalanche améliorée

Caractéristiques du transistor IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120F1A 1200 V/40 A :
• Tension de claquage élevée jusqu'à 1200 V pour une fiabilité améliorée
• Technologie Trench-Stop offrant :
1) Commutation à grande vitesse
2) Haute robustesse, stabilité thermique
3) Faible VCEsat
4) Capacité de commutation parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans VCEsat
• Capacité d'avalanche améliorée

Les IGBT à tranchée d'arrêt de champ Rongtech offrent de faibles pertes de commutation, une efficacité énergétique élevée et une robustesse élevée en avalanche pour les applications de commutation douce telles que le chauffage par induction, le four à micro-ondes, etc.

Caractéristiques du module IGBT GTS40FB120T5HB :
· Résistance aux courts-circuits > 10 µs
· Tension de saturation basse : VCE (sat) = 2,15 V à Ic = 40 A, Tc = 25 °C
· Faible perte de commutation
· 100 % testé RBSOA (2x|c)
· Faible inductance parasite
· Sans plomb, conforme aux exigences RoHS

Caractéristiques du PIM 1200 V/25 A dans un seul boîtier
• Technologie IGBT Trench + Filed Stop
• Capacité de court-circuit de 10 µs
• VcE(sat) avec coefficient de température positif
• Boîtier à faible inductance
• Récupération arrière rapide et douce, traction avant anti-parallèle
• Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC