IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120T1B 1200 V/40 A
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Caractéristiques du transistor IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120T1B 1200 V/40 A :
1. Tension de claquage élevée jusqu'à 1200 V pour une fiabilité améliorée
2. Offre de technologie Trench-Stop :
a.distribution très serrée des paramètres
b. grande robustesse, comportement stable en température
c.Temps de tenue aux courts-circuits - 10 µs
d.Haute robustesse, stabilité thermique
e. Faible VCE(SAT) > Capacité de commutation parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans VCE(SAT)
3. Capacité d'avalanche améliorée
Applications des transistors bipolaires à coupure de champ en tranchée RGW40N120T1B 1200 V/40 A
Convertisseur de fréquence
Entraînement par moteur
Données de l'IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120T1B 1200 V/40 A
