IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120F1A 1200 V/40 A
IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120F1A 1200 V/40 A
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Caractéristiques du transistor IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120F1A 1200 V/40 A :
• Tension de claquage élevée jusqu'à 1200 V pour une fiabilité améliorée
• Technologie Trench-Stop offrant :
1) Commutation à grande vitesse
2) Haute robustesse, stabilité thermique
3) Faible VCEsat
4) Capacité de commutation parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans VCEsat
• Capacité d'avalanche améliorée
Applications des transistors IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120F1A 1200 V/40 A
1.Alimentations sans interruption
2. Onduleur solaire
3. Soudage
4. Applications PFC
Données de l'IGBT à coupure de champ en tranchée RGW40N120F1A 1200 V/40 A
