R50FP30DN
- Rongtech
- Chine
- 7 jours
- 30000
Description de la diode R50FP30DN : Ces diodes sont optimisées pour réduire les pertes et les interférences électromagnétiques (EMIRFI) dans les systèmes de conditionnement d'énergie haute fréquence. Leur capacité de récupération progressive permet de les utiliser comme amortisseurs dans la plupart des applications. Ces dispositifs sont parfaitement adaptés aux convertisseurs de puissance de soudage HF et autres applications où les pertes de commutation ne représentent qu'une faible part des pertes totales.
Caractéristiques du R50FP30DN
1. Récupération ultra-rapide
2. Température de jonction de fonctionnement de 175 °C
3. Fonctionnement à haute fréquence
4. Faible perte de puissance, moins de RFl et d'EMI
5. Faible valeur Ir
6. Capacité de surtension élevée
7. Construction de puces épitaxiales
Données R50FP30DN
