SiC et GaN
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Module MOSFET SiC RSC150TL65A8H-S09
Caractéristiques du module MOSFET SiC RSC150TL65A8H-S09 :
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1. Perte ultra faible
2. Fonctionnement à haute fréquence
3. Récupération inverse rapide
4. Courant de queue de coupure nul du MOSFET
5. Fonctionnement de l'appareil normalement éteint et à sécurité intégrée, facile à mettre en parallèle
6. Broches de signal à insertion forcée
7. Capteur de température NTC à l'intérieur
8. Sans plomb, conforme aux exigences RoHS -
Module MOSFET SiC de données RSC300HF170T2NH
Caractéristiques du module MOSFET SiC de données RSC300HF170T2NH :
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• Perte ultra faible
• Fonctionnement à haute fréquence
• Courant de récupération inverse nul de la diode
• Courant de queue de coupure nul du MOSFET
• Fonctionnement de l'appareil normalement éteint et à sécurité intégrée
• Facilité de mise en parallèle
• Plaque de base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium -
RTQ12080T3
RTQ12080T3 30000 Caractéristiques : Haute tension, faible résistance à l'état passant ; Haute vitesse, faible capacité parasite ; Température de jonction de fonctionnement élevée ; Diode corporelle à récupération rapide.
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