Diodes FRD/modules FRD
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Diode FRD RFR30F60PN
Description de la diode FRD RFR30F60PN : La FR30F60PN est une diode à recouvrement ultra-rapide, fabriquée selon la technologie avancée d'épitaxie planaire au silicium. Les paramètres de fabrication et la structure du dispositif sont optimisés pour une chute de tension directe et un temps de recouvrement inverse optimisés.
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Le contrôle précis du dopage épitaxial, la structure avancée du terminal de jonction planaire et le contrôle de la durée de vie dopé au platine garantissent les meilleures caractéristiques de performance globale, de robustesse et de fiabilité.
Le RFR30F60T2/PN est destiné à être utilisé dans l'étage de redressement de sortie des SMPS, UPS, convertisseurs DC-DC ainsi que dans la diode de roue libre dans les onduleurs basse tension et les pilotes de moteurs hacheurs. -
Diode FRD RFR30F40PN
Caractéristiques de la diode FRD RFR30F40PN : Récupération ultra-rapide, température de jonction de fonctionnement de 175 °C, fonctionnement à haute fréquence, faible perte de puissance, moins de RFI et d'EMI, faible valeur Ir, capacité de surtension élevée, construction de puce épitaxiale.
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