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17-05-2025
Capteur à effet Hall en boucle fermée
L'essor des semi-conducteurs à large bande interdite (SiC/GaN) et des infrastructures de charge ultra-rapide exigera des capteurs dotés de bandes passantes plus élevées (> 500 kHz) et d'une résilience thermique renforcée. L'intégration avec des interfaces numériques (I²C, SPI) et des diagnostics embarqués (par exemple, auto-étalonnage, signalement des défauts) simplifiera encore la conception des systèmes. Les innovations dans les noyaux magnétiques nanocristallins et les éléments Hall à base de MEMS pourraient permettre d'atteindre une précision supérieure à ± 0,05 %.
