Les modules IGBT et les MOSFET SiC présentent tous deux un grand intérêt pour la conversion de puissance, mais répondent à des priorités de conception différentes. Les modules IGBT sont éprouvés, fiables, économiques et adaptés à de nombreux systèmes d'alimentation industriels conventionnels. Les MOSFET SiC offrent une commutation plus rapide, des pertes de commutation plus faibles, un rendement supérieur et une meilleure densité de puissance, ce qui les rend intéressants pour les conceptions avancées à haut rendement. Le choix optimal dépend du niveau de puissance, de la classe de tension, de la fréquence de commutation, de l'objectif de rendement, de la conception thermique, des capacités du circuit de commande de grille, des exigences CEM, du budget et de l'environnement d'application. Plutôt que de se demander quel composant est systématiquement le meilleur, les ingénieurs devraient se demander lequel offre la meilleure valeur ajoutée globale pour le produit final de conversion de puissance.

Les modules MOSFET en carbure de silicium représentent une technologie révolutionnaire pour les onduleurs solaires. Tirant parti des propriétés exceptionnelles de ce matériau, ils permettent un gain d'efficacité considérable grâce à une réduction drastique des pertes par commutation et conduction. Ceci maximise non seulement le rendement énergétique, mais permet également une densité de puissance plus élevée, une fiabilité accrue et des coûts système réduits, confirmant ainsi leur rôle fondamental dans les systèmes de conversion d'énergie solaire de nouvelle génération.